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在移动系统级芯片(SoC)市场中,台积电在引入新的制造工艺节点方面正在快速发展。台湾晶圆厂有望在明年大规模生产5纳米工艺,从表面上看似乎是最好的选择。今天,韩国科技巨头三星已经宣布了各 ...

本帖最后由 alesan 于 2019-5-17 16:34 编辑

在移动系统级芯片(SoC)市场中,台积电在引入新的制造工艺节点方面正在快速发展。台湾晶圆厂有望在明年大规模生产5纳米工艺,从表面上看似乎是最好的选择。今天,韩国科技巨头三星已经宣布了各种工艺节点的计划。其中包括5nm FinFET和3nm GAAFET的变体,三星已将其注册为MBCFET(多桥通道FET)。

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今天,在圣克拉拉(美国加利福尼亚州西部城市)的三星制造论坛上,三星宣布了其下一代半导体制造工艺的计划。一个重大公告是三星的3nm GAA的发展,被公司称为3GAE。三星已确认上个月发布了该节点的设计套件。

三星与IBM合作开发GAAFET (gate - all)工艺节点,但今天该公司宣布了对早期工艺流程的定制。被称为MBCFET,根据该公司的说法,它可以通过用纳米片替换纳米线周围的栅极,来实现每堆更大的电流。


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与传统的FinFET设计相反,GAAFET允许栅极材料从四面环绕通道。三星声称,MBCFET的设计将改善该过程的开关行为,并允许处理器将运行电压降低到0.75V以下。MBCFET的一个关键点在于该工艺完全兼容FinFET设计,不需要任何新的制造工具。


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与7nm FinFET相比,3nm MBCFET将分别降低30%的功耗和45%的表面积。这一过程还将比目前高端设备的性能节点提高40%。三星今天还讲述了其他流程节点的计划,但没有提供MBCFET与这些节点的比较。


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在今天的论坛上,三星还强调了其6nm,5nm和4nm工艺节点的计划。据该公司介绍,三星将在2019年下半年开始6nm批量生产,同期,该公司将完成其4nm制造工艺的开发。

三星还透露,该公司的5纳米工艺的产品设计将在2019年下半年完成,该节点将在2020年进入批量生产 - 与台积电的5纳米工艺同期进行。


作者:Ramish Zafar
稿源:https://wccftech.com/samsung-ann ... production-in-2020/
编译:彩云比特

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发表于 5 天前 | 显示全部楼层
沙发
矿机又要升级了
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